北京大學借助石墨烯實現(xiàn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長

北京大學借助石墨烯實現(xiàn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長

近日，北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在AdvancedFunctionalMaterials上在線刊登[doi.org/10.1002/adfm.201905056]。



　　GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點領域。



　　目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。





　　沈波和楊學林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。



　　北京大學物理學院博士后馮玉霞為第一作者，沈波教授、劉開輝教授、楊學林老師為共同通訊作者。該工作的理論計算得到了李新征教授的指導與幫助。該工作得到了科技部國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、北京大學人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室項目的資助。